KJ009可控硅移相触发器

KJ009可控硅移相触发器的基本性能与KJ004相同,可以与KJ004互换使用。由于器件内部采用了反向阻断四极硅晶闸管作脉冲记忆,提高了抗干扰能力和触发脉冲的前沿陡度,脉冲的宽度有较大的调节范围。KJ009可控硅移相触发器适用于单相、三相全控桥式供电装置中作可控硅的双路脉冲移相触发。两路相位差180度的移相脉冲可以方便地构成全控桥式触发线路。具有输出负载能力强、锯齿波线性好、正负半周脉冲相位均衡度好、移相范围宽、对同步电压要求低,有脉冲列调制输入等功能与特点。
KJ009电路工作原理：
　　KJ009可控硅移相触发器由同步检测电路、锯齿波形成电路、偏移电压、移相电压及锯齿波电压综合比较放大电路、脉冲记忆路及功率放大电路等部分组成。由V,—V,对同步电压进行检测。在同步电压过零点时,V,～V,均截止,从而使V,+、V,,导通,V,,使积分电容Cl放电。过零结束后,Vln,Vi6恢复截止,C,接在V：。的基极集电极,组成密勒积分器,形成线性增大的锯齿波。锯齿波的斜率决定于R6、IIW,流出的充电电流和积分电容C1的数值。V24是比较放大管,锯齿波电压和移相控制电压VY以及偏移电压V,分别通过串联电阻加到V24的基极作电流比较。TH是反射阻断四极硅晶闸管。当V24截止,HT也截止,由于11端外接电容C：上储存有电荷,V29集电极为高电位。锯齿波电压上升高到某一瞬时,v：,基流大于零,使V24导通。由于V24导通,使反向阻断四极硅晶闸管导通,TH一旦被触发导通,就能保持通导状态,V24失去控制作用。TH的通导使V29导通,C2通过V29放电,由于C2的微分作用在V24导通的前沿形成一定宽度的输出脉冲。在同步电压过零时,由于V24的导通使V19、V20、V21在瞬间导通一下。V21导通给TH阳极控制极加上高电位,使四极硅晶闸管截止,从而V29也截止,同时也由于V20导通对C2充电,使11端建立高电位准备下半周输出脉冲。V44—49是功放级,分别对正负半周的脉冲进行功率放大,使两个输出端都有100mA的输出能力。13、14端提供脉冲列调制和脉冲封锁的控制。KJ009可控硅移相触发器电路的同步电压为任意值,同步串联电阻R4选择按下式计算： R4=同步电压/2～3×103(Ω)

KJ009封装形式：
　　KJ009可控硅移相触发器电路采用双列直插C—16线白瓷和黑瓷两种外壳封装,外形尺寸按电子工业部部颁标准《半导体集成电路外形尺寸》SJ1100—76

KJ009典型接线图及各点波形：
　　对不同的移相控制电压VY,只要改变权电阻R1、R2的比例,调节相应电压VP同时调整锯齿波斜率电位器RW1,可以使不同的移相控制电压获得整个移相范围。触发极性为正极性型,即移相电压增加,号通角增大。
　　

KJ009电参数：

1. 电源电压：直流+15V、-15V,允许波动±5%(土10%时功能正常)。
2. 电源电流：正电流≤15mA,负电流≤10mA。
3. 同步电压：任意值。
4. 同步输入端允许最大同步电流：6mA(有效值)
5. 移相范围：≥ 170’(同步电压30V,同步输人电阻15KΩ)。
6. 锯齿波幅度：≥10V(幅度以锯齿波平顶为准)。
7. 输出脉冲：
   　　(1)宽度：400μS～2mS(改变阻容元件达到)。
   　　(2)幅度：≥ 13V。
8. 输出管反压：BVceo≥18V(测试条件Ie=100μA)。
9. 正负半周脉冲相位不均衡度：≤土30.