TriQuint 分立晶体管FET
发布时间：2013/3/19 13:42:48 修改时间：2013/3/19 13:42:48 浏览次数：6439

低噪音晶体管

分立器件

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	功率(dBm)	NF/PAE	Vd(V)	IQ(mA)
TGF1350-SCC	0.3 mm, MESFET	DC - 18.0	11	13	1.5 dB	3	15
		DC - 4	16	26	0.6	5	150
TGF4350	0.3 mm, 0.25-μm mmW pHEMT 2MI	DC - 22.0	13@10GHz	16	0.8 dB@10GHz	3	15

分立晶体管

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	P1dB (dBm)	OIP3 (dBm)	NF/PAE	Vdd (V)	Idd (mA)	封装
TGA2602-SM	双 GaAs PHEMT	0.8 - 3	20.5	20	33.5	0.55	4	140	4 x 4 mm
CFH800	低噪声、高线性 pHEMT FET	0.05 - 4	17	-	30	0.5	3	30	SOT-143

功率晶体管

放大器

型号	描述	频率(GHz)	功率(dBm)	增益(dB)	NF/PAE	+V	IQ(mA)
TGA2921-SG	4 W 802.11a 封装放大器	4.9-6	36	11	-	8	800
TGA2922-SG	2W 802.11a封装放大器	4.9-6	34	11	-	8	480
TGA2923-SG	10 W MMDS封装放大器	3.5	40	9	-	8	1200
TGA2924-SG	10 W MMDS封装放大器	1-4	40	12	-	8	1200
TGA2925-SG	5.6 W 3.5 GHz 封装 HPA	2-4	37.5	12	-	8	750

分立器件

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	功率(dBm)	NF/PAE	Vd(V)	IQ(mA)
T1G6000528-Q3	7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管	DC - 6	10	39.5	>50%	28	50
T1G6003028-FS	30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶体管	DC - 6	14	45	-	28	200
TGF2021-01	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 30	59%	8 - 12	75 - 125
TGF2021-02	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 33	59%	8 - 12	150 - 250
TGF2021-04	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 36	59%	8 - 12	300 - 500
TGF2021-04-SG	pHEMT宽带射频晶体管	20 MHz - 4GHz	12	4W	-	-	-
TGF2021-08	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 39	59%	8 - 12	600 - 1000
TGF2021-08-SG	pHEMT宽带射频晶体管	20 MHz - 4GHz	12V	7W	-	-	-
TGF2021-12	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 42	58%	8 - 12	900 - 1500
TGF2022-06	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	13	> 28	58%	8 - 12	45 - 75
TGF2022-12	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	13	> 31	58%	8 - 12	90 - 150
TGF2022-24	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	13	> 34	58%	8 - 12	180 - 300
TGF2022-48	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	13	> 37	58%	8 - 12	360 - 600
TGF2022-60	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	12	> 38	57%	8 - 12	448 - 752
TGF2023-01	6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	>38	55%	28 - 40	125
TGF2023-02	12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	> 41	55%	28 - 40	250
TGF2023-05	25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	> 44	55%	28 - 40	500
TGF2023-10	SiC HEMT 50W分立功率 GaN	DC - 18	15	> 47	55%	28 - 40	1000
TGF2023-20	SiC HEMT 100W分立功率 GaN	DC - 18	15	> 50	55%	28 - 40	2000
TGF4112	12mm HFET	DC - 8.0	14@2GHz	37	55%	8	750
TGF4118	18mm HFET	DC - 6.0	13.5@2GHz	38.5	53%	8	1690
TGF4124	24mm HFET	DC - 4.0	13@2GHz	40	51%	8	2170
TGF4230-SCC	1.2 mm HFET	DC - 12.0	10	28.5	55%	8	96
TGF4240-SCC	2.4mm HFET	DC - 12.0	10	31.5	56%	8	192
TGF4250-SCC	4.8 mm HFET	DC - 10.5	8.5	34	53%	8	384
TGF4260-SCC	9.6mm HFET	DC - 10.5	9.5	37	52%	8.5	768

分立晶体管

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	P1dB (dBm)	OIP3 (dBm)	NF/PAE	Vdd (V)	Idd (mA)	封装
CLY2	大功率封装 GaAs FET; +23.5 dBm	DC - 3	14.5	23.5	-	0.79	3	180	MW6
CLY5	大功率封装 GaAs FET; +26.5 dBm	0.4 - 2.5	11	27	-	1.7	3	350	MW6
TGF2960-SD	0.5 W GaAs HFET	DC - 5	19	27	40	3.7	8	100	SOT-89
TGF2961-SD	1 W GaAs HFET	DC - 4	18	30	44	3.3	8	200	SOT-

PowerBand? 射频晶体管

型号	描述	技术	频段	工作电压	P1dB (W)	增益(dB)	效率(%)	宽带评估板
T1P2701012-SP	10 W, 12 V, 500 MHz - 3 GHz pHEMT 射频功率晶体管	pHEMT	500MHz - 2.7GHz	12V	10	10	50	T1P2701012-SP
T1P3002028-SP	20 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管	pHEMT	500MHz - 2.5GHz	28V	20	10	50	T1P3002028-SP
T1G6003028-SP	25W, 28V, 20 MHz - 6 GHz GaN 分立射频晶体管	GaN	20MHz - 6.0GHz	28	25	8	50	T1G6003028-SP
T1L2003028-SP	30 W, 28 V, 500 MHz - 2 GHz LDMOS RF 功率晶体管	LDMOS	500MHz - 2.0GHz	28V	30	10	60	T1L2003028-SPTF
T1P3003028-SP	30 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管	pHEMT	500MHz - 2.0GHz	28V	30	10	50	T1P3003028-SP
T1P3005028-SP	50 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管	pHEMT	500MHz - 2.0GHz	28V	50	10	50	T1P3005028-SP

GaAs MESFET

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	P1dB (dBm)	OIP3 (dBm)	NF/PAE	Vdd (V)	Idd (mA)	封装
FH1-G	GaAs MESFET	0.05 - 4	19	21	42	2	5	150	SOT-89
FH101	GaAs MESFET	0.05 - 4	19	18	36	2	5	150	SOT-89

GaAs HFET

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	P1dB (dBm)	OIP3 (dBm)	NF/PAE	Vdd (V)	Idd (mA)	封装
FP1189-G	0.5 W GaAs HFET	0.05 - 4	19	27	40	2.7	8	125	SOT-89
FP2189-G	1 W GaAs HFET	0.05 - 4	18	30	44	4.5	8	250	SOT-89
FP31QF-F	2 W GaAs HFET	0.05 - 4	18	34	46	3.5	9	450	6 x 6 mm

GaN FET

分立器件

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	功率(dBm)	NF/PAE	Vd(V)	IQ(mA)
T1G4005528-FS	55W, 28V, DC-3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管	DC - 3.5	15	47.2	>50%	28	200
T1G6000528-Q3	7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管	DC - 6	10	39.5	>50%	28	50
T1G6001528-Q3	18W, 28V, DC-6 GHz, GaN 射频功率晶体管	DC - 6	15	43.4	>50%	28	50
T1G6003028-FS	30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶体管	DC - 6	14	45	-	28	200
TGF2023-01	6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	>38	55%	28 - 40	125
TGF2023-02	12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	> 41	55%	28 - 40	250
TGF2023-05	25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	> 44	55%	28 - 40	500
TGF2023-10	SiC HEMT 50W分立功率 GaN	DC - 18	15	> 47	55%	28 - 40	1000
TGF2023-20	SiC HEMT 100W分立功率 GaN	DC - 18	15	> 50	55%	28 - 40	2000

企业介绍

提供全方位的电子产品技术信息解决方案嵌入式微处理器系统 16/32位系列个人数字助理PDA，StrongARM 处理器及开发工具廉价的单片机PIC12系列 DSP信号处理器系统等嵌入式控制器滤波器模数转换器 D/A A/D转换器高性能运放非易失存储器射频和微波电路 C… 更多>>

产品分类

联系方式

龙人旗下深圳市龙芯世纪科技有限公司

联系人：BDTIC

地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场B座12F

邮编：100089

电话：0755-83574969

传真：0755-83778351

公司网址：http://www.BDTIC.com/IC

该空间手机版

扫描此二维码即可访问该空间手机版

在线反馈

1.我有以下需求：
得到贵公司产品详细资料得到贵公司产品的价格信息贵公司产品销售人员联系我贵公司技术支持人员联系我
2.详细的需求：
*
姓名:	*
单位:
电话:	*
邮件:	*

您还没有登录,请登陆, 如果您还没有注册,点击这里注册.

网友反馈

李小东 在2023/8/23 0:15:00留言
留言类型：贵公司产品销售人员联系我,贵公司技术支持人员联系我,
详细留言：了解产品的合作

徐工在2022/11/23 15:39:00留言
留言类型：我让贵公司技术支持人员联系我,
详细留言：ATMEGA32 TWI硬件从机使用。

徐工在2022/11/21 9:30:00留言
留言类型：我让贵公司技术支持人员联系我,
详细留言：ATMEAG32 硬件11C主从通信

于方元 在2021/7/8 19:21:00留言
留言类型：得到贵公司产品详细资料,得到贵公司产品的价格信息,贵公司产品销售人员联系我,贵公司技术支持人员联系我,
详细留言：全以太网工控系统开发。

明小姐 在2015/3/26 16:06:00留言
留言类型：得到贵公司产品详细资料,
详细留言：看了您公司，还看了HYDAC温度传感器:http://www.hydac-zh.com/wdcgq/ 贺德克温度传感器:http://www.hydac-zh.com/wdcgq/ HYDAC流量传感器:http://www.hydac-zh.com/llcgq/ 贺德克流量传感器:http://www.hydac-zh.com/llcgq/ HYDAC液位传感器:http://www.hydac-zh.com/yeweichuanganqi/ 贺德克液位传感器:http://www.hydac-zh.com/yeweichuanganqi/ HYDAC位移传感器:http://www.hydac-zh.com/ycgq/ 贺德克位移传感器:http://www.hydac-zh.com/ycgq/ HYDAC旋转传感器:http://www.hydac-zh.com/xzcgq/ 贺德克旋转传感器:http://www.hydac-zh.com/xzcgq/

更多请进入空间管理中心查看