TriQuint 分立晶体管FET
发布时间：2013/3/19 13:42:48 修改时间：2013/3/19 13:42:48 浏览次数：6558

低噪音晶体管

分立器件

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	功率(dBm)	NF/PAE	Vd(V)	IQ(mA)
TGF1350-SCC	0.3 mm, MESFET	DC - 18.0	11	13	1.5 dB	3	15
		DC - 4	16	26	0.6	5	150
TGF4350	0.3 mm, 0.25-μm mmW pHEMT 2MI	DC - 22.0	13@10GHz	16	0.8 dB@10GHz	3	15

分立晶体管

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	P1dB (dBm)	OIP3 (dBm)	NF/PAE	Vdd (V)	Idd (mA)	封装
TGA2602-SM	双 GaAs PHEMT	0.8 - 3	20.5	20	33.5	0.55	4	140	4 x 4 mm
CFH800	低噪声、高线性 pHEMT FET	0.05 - 4	17	-	30	0.5	3	30	SOT-143

功率晶体管

放大器

型号	描述	频率(GHz)	功率(dBm)	增益(dB)	NF/PAE	+V	IQ(mA)
TGA2921-SG	4 W 802.11a 封装放大器	4.9-6	36	11	-	8	800
TGA2922-SG	2W 802.11a封装放大器	4.9-6	34	11	-	8	480
TGA2923-SG	10 W MMDS封装放大器	3.5	40	9	-	8	1200
TGA2924-SG	10 W MMDS封装放大器	1-4	40	12	-	8	1200
TGA2925-SG	5.6 W 3.5 GHz 封装 HPA	2-4	37.5	12	-	8	750

分立器件

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	功率(dBm)	NF/PAE	Vd(V)	IQ(mA)
T1G6000528-Q3	7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管	DC - 6	10	39.5	>50%	28	50
T1G6003028-FS	30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶体管	DC - 6	14	45	-	28	200
TGF2021-01	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 30	59%	8 - 12	75 - 125
TGF2021-02	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 33	59%	8 - 12	150 - 250
TGF2021-04	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 36	59%	8 - 12	300 - 500
TGF2021-04-SG	pHEMT宽带射频晶体管	20 MHz - 4GHz	12	4W	-	-	-
TGF2021-08	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 39	59%	8 - 12	600 - 1000
TGF2021-08-SG	pHEMT宽带射频晶体管	20 MHz - 4GHz	12V	7W	-	-	-
TGF2021-12	X-波段分立功率pHEMT	DC - 12	11	> 42	58%	8 - 12	900 - 1500
TGF2022-06	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	13	> 28	58%	8 - 12	45 - 75
TGF2022-12	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	13	> 31	58%	8 - 12	90 - 150
TGF2022-24	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	13	> 34	58%	8 - 12	180 - 300
TGF2022-48	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	13	> 37	58%	8 - 12	360 - 600
TGF2022-60	Ku-波段分立功率pHEMT	DC - 20	12	> 38	57%	8 - 12	448 - 752
TGF2023-01	6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	>38	55%	28 - 40	125
TGF2023-02	12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	> 41	55%	28 - 40	250
TGF2023-05	25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	> 44	55%	28 - 40	500
TGF2023-10	SiC HEMT 50W分立功率 GaN	DC - 18	15	> 47	55%	28 - 40	1000
TGF2023-20	SiC HEMT 100W分立功率 GaN	DC - 18	15	> 50	55%	28 - 40	2000
TGF4112	12mm HFET	DC - 8.0	14@2GHz	37	55%	8	750
TGF4118	18mm HFET	DC - 6.0	13.5@2GHz	38.5	53%	8	1690
TGF4124	24mm HFET	DC - 4.0	13@2GHz	40	51%	8	2170
TGF4230-SCC	1.2 mm HFET	DC - 12.0	10	28.5	55%	8	96
TGF4240-SCC	2.4mm HFET	DC - 12.0	10	31.5	56%	8	192
TGF4250-SCC	4.8 mm HFET	DC - 10.5	8.5	34	53%	8	384
TGF4260-SCC	9.6mm HFET	DC - 10.5	9.5	37	52%	8.5	768

分立晶体管

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	P1dB (dBm)	OIP3 (dBm)	NF/PAE	Vdd (V)	Idd (mA)	封装
CLY2	大功率封装 GaAs FET; +23.5 dBm	DC - 3	14.5	23.5	-	0.79	3	180	MW6
CLY5	大功率封装 GaAs FET; +26.5 dBm	0.4 - 2.5	11	27	-	1.7	3	350	MW6
TGF2960-SD	0.5 W GaAs HFET	DC - 5	19	27	40	3.7	8	100	SOT-89
TGF2961-SD	1 W GaAs HFET	DC - 4	18	30	44	3.3	8	200	SOT-

PowerBand? 射频晶体管

型号	描述	技术	频段	工作电压	P1dB (W)	增益(dB)	效率(%)	宽带评估板
T1P2701012-SP	10 W, 12 V, 500 MHz - 3 GHz pHEMT 射频功率晶体管	pHEMT	500MHz - 2.7GHz	12V	10	10	50	T1P2701012-SP
T1P3002028-SP	20 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管	pHEMT	500MHz - 2.5GHz	28V	20	10	50	T1P3002028-SP
T1G6003028-SP	25W, 28V, 20 MHz - 6 GHz GaN 分立射频晶体管	GaN	20MHz - 6.0GHz	28	25	8	50	T1G6003028-SP
T1L2003028-SP	30 W, 28 V, 500 MHz - 2 GHz LDMOS RF 功率晶体管	LDMOS	500MHz - 2.0GHz	28V	30	10	60	T1L2003028-SPTF
T1P3003028-SP	30 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管	pHEMT	500MHz - 2.0GHz	28V	30	10	50	T1P3003028-SP
T1P3005028-SP	50 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脉宽 pHEMT 射频功率晶体管	pHEMT	500MHz - 2.0GHz	28V	50	10	50	T1P3005028-SP

GaAs MESFET

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	P1dB (dBm)	OIP3 (dBm)	NF/PAE	Vdd (V)	Idd (mA)	封装
FH1-G	GaAs MESFET	0.05 - 4	19	21	42	2	5	150	SOT-89
FH101	GaAs MESFET	0.05 - 4	19	18	36	2	5	150	SOT-89

GaAs HFET

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	P1dB (dBm)	OIP3 (dBm)	NF/PAE	Vdd (V)	Idd (mA)	封装
FP1189-G	0.5 W GaAs HFET	0.05 - 4	19	27	40	2.7	8	125	SOT-89
FP2189-G	1 W GaAs HFET	0.05 - 4	18	30	44	4.5	8	250	SOT-89
FP31QF-F	2 W GaAs HFET	0.05 - 4	18	34	46	3.5	9	450	6 x 6 mm

GaN FET

分立器件

型号	描述	频率(GHz)	增益(dB)	功率(dBm)	NF/PAE	Vd(V)	IQ(mA)
T1G4005528-FS	55W, 28V, DC-3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管	DC - 3.5	15	47.2	>50%	28	200
T1G6000528-Q3	7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射频功率晶体管	DC - 6	10	39.5	>50%	28	50
T1G6001528-Q3	18W, 28V, DC-6 GHz, GaN 射频功率晶体管	DC - 6	15	43.4	>50%	28	50
T1G6003028-FS	30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶体管	DC - 6	14	45	-	28	200
TGF2023-01	6 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	>38	55%	28 - 40	125
TGF2023-02	12 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	> 41	55%	28 - 40	250
TGF2023-05	25 W用于SiC HEMT上的分立电源 GaN	DC - 18	15	> 44	55%	28 - 40	500
TGF2023-10	SiC HEMT 50W分立功率 GaN	DC - 18	15	> 47	55%	28 - 40	1000
TGF2023-20	SiC HEMT 100W分立功率 GaN	DC - 18	15	> 50	55%	28 - 40	2000

企业介绍

提供全方位的电子产品技术信息解决方案嵌入式微处理器系统 16/32位系列个人数字助理PDA，StrongARM 处理器及开发工具廉价的单片机PIC12系列 DSP信号处理器系统等嵌入式控制器滤波器模数转换器 D/A A/D转换器高性能运放非易失存储器射频和微波电路 C… 更多>>

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徐工在2022/11/23 15:39:00留言
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徐工在2022/11/21 9:30:00留言
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于方元 在2021/7/8 19:21:00留言
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详细留言：全以太网工控系统开发。

明小姐 在2015/3/26 16:06:00留言
留言类型：得到贵公司产品详细资料,
详细留言：看了您公司，还看了HYDAC温度传感器:http://www.hydac-zh.com/wdcgq/ 贺德克温度传感器:http://www.hydac-zh.com/wdcgq/ HYDAC流量传感器:http://www.hydac-zh.com/llcgq/ 贺德克流量传感器:http://www.hydac-zh.com/llcgq/ HYDAC液位传感器:http://www.hydac-zh.com/yeweichuanganqi/ 贺德克液位传感器:http://www.hydac-zh.com/yeweichuanganqi/ HYDAC位移传感器:http://www.hydac-zh.com/ycgq/ 贺德克位移传感器:http://www.hydac-zh.com/ycgq/ HYDAC旋转传感器:http://www.hydac-zh.com/xzcgq/ 贺德克旋转传感器:http://www.hydac-zh.com/xzcgq/

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